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　　由MOSFET开关引起的EMC相关问题通常只出现在产品开发周期的后期，解决这些问题可能会产生额外的研发成本并延迟市场发布。典型的解决方案包括使用更昂贵且RDS(on)较低的MOSFET（以减慢开关速度并吸收过多的电压振铃）或安装外部电容缓冲器电路，但这种方法的缺点是会增加元件数量。
jst接插件美光科技股份有限公司宣布，推出数据中心 SSD 产品美光 9550 NVMe SSD和第九代NAND 闪存技术产品。在7月31日举行的媒体交流会上，美光相关产品负责人对两款产品的技术参数进行了介绍，并称，9550 SSD基于NVIDIA H100 GPU平台，针对AI工作负载进行了优化，特别考虑了采用大型加速器内存（BaM）进行图神经网络（GNN）训练。
　　在与英飞凌的CoolMOS S7开关配合使用时，这些隔离式驱动器实现的开关设计，其电阻远低于光驱动固态解决方案。这能够延长系统设计的寿命并降低成本。与所有固态隔离器一样，这些半导体器件的性能同样优于电磁继电器，例如降低40%的功耗、以及摒除机械组件以实现更高的可靠性等。

　　该工艺还可以降低插入损耗，通常在 5GHz 时可降低至 0.6dB。
　　这是在 25°C 时，值为 0.9dB。在 -40 至 +95?C 的整个温度范围内，从 0.7 至 3GHz 增加到 0.8dBmax，从 3 至 5GHz 增加到 1dBmax。
从启动到性能优化，MotorXpert基于GUI的工具“终端仿真器”和符合MISRA C标准的代码库大大简化了设计过程，可实时优化电机工作架构，无需重复更新固件。BridgeSwitch-2可与任何微处理器搭配使用，易于在现有系统中采用 – 这一点对于工程师更新设计以满足更严格的待机法规非常重要。
jst接插件推出新系列适合直流支撑应用的爱普科斯 (EPCOS) 电力电容器。新 系列元件的设计工作温度达+105°C；订购代码为 B25695E；额定直流电压范围为 700 V 至 1300 V（温度 ≥+85 °C 时，电压须降额使用）；ESR 范围为 1.0 mΩ 至 2.7 mΩ；+70 °C 时的电流能力高达 110 A，具体视型号而 定（温度更高时，电流须降额使用）。不过，该系列薄膜电容器可反复承受 15.8 kA 的峰值电流，并且在额定 电压和+75 °C 条件下具有长达 100,000 小时的预期寿命。
NXP全新MCX N系列微控制器搭载Arm Cortex-M33 CPU，配备智能外设和加速器、通信和信号处理功能，可扩展性强，易于开发。MCX N的低功耗高速缓存提高了系统性能，双闪存和完整的ECC RAM则支持系统安全，提供了额外的保护。
　　SRK1004的电源电压是4V至36V，可以使用各种标准工业总线电源。宽压输入还可以灵活地调整降压比，以获得的能效。此外，该控制器还内置快速短路检测功能，有助于开发稳健可靠的设备。

全新的英特尔至强6平台及处理器家族专为应对这些挑战所设计，其中，能效核处理器专门针对高核心密度和规模扩展任务所需的高效能优化，而性能核处理器则面向计算密集型和AI工作负载所需的高性能进行优化，两者架构兼容，共享软件栈和开放的软、硬件供应商生态。
jst接插件　　STCC4是目前市面上用于直接测量二氧化碳浓度的史上传感器之一，旨在可以无缝集成到紧凑型电子设备中，为当前被尺寸和成
　　ICeGaN 功率 IC 集成了米勒箝位以消除高速开关过程中的击穿损耗，并实现了0V关断从而限度地减少反向导通损耗，其性能优于分立 eMode GaN 和其他现有技术。新的封装提供了低至0.28 K/W的改进的热阻性能，与市场上任何其他产品比较具有相当或更加优异的性能。
　　MULTI-BEAM XLE 连接器采用三束端子，与原始的单束或四束矩形电源连接器设计相比，采用了更厚（更高）的导电材料。三束设计允许配接连接器之间存在更大的角度偏差，且配接力更低。