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　　DGH 类型的工作电压高达 8.1V（-40 至 +65°C），330mF 版本的尺寸为 25 x 8.5 x 16mm 高，5F 版本的尺寸为 39 x 13 x 33mm。如果电压降低至 6.9V，它们的工作温度也将高达 85°C。在额定温度和电压下，预计使用寿命为 1,500 小时。
itt cannon连接器官网　　NVMe NANDrive PX系列采用工业级3D TLC（每单元3bit）NAND，支持5千擦写次数（P/E）的高耐久性（可达6,700 TBW），是要求高可靠而成本又不高的应用的选择。该产品系列目前有64 GB、128 GB、256 GB和512 GB多种容量供客户选择。
　　Dubhe-70在功率、面积以及效率方面都拥有表现，与Arm Cortex-A55相比， Dubhe-70性能高出80%，能效比高出32%，面效比高出90%。与赛昉科技去年推出的主打高能效比的Dubhe-80相比，Dubhe-70的能效比提升21%，面效比提升5%。Dubhe-70可应对高性能场景下对功耗有着严苛要求的各类细分领域，涵盖工业控制、存储、移动终端、边缘终端、云终端、AI等。

　　PowerPAK1212-F源极倒装技术颠倒通常接地焊盘和源极焊盘的位置，扩大接地焊盘面积，提供更有效的散热路径，有助于降低工作温度。同时，PowerPAK 1212-F减小了开关区范围，有助于降低迹线噪声的影响。另外，PowerPAK 1212-F封装源极焊盘尺寸增加了10倍，从0.36mm2提高到4.13 mm2，从而改进热性能。
　　开发人员还可以利用Microchip不断扩大的无线产品组合来实现端到端解决方案。这些产品组合提供一系列采用Wi-Fi、Zigbee、Thread 和sub-GHz等流行无线技术的产品，可与蓝牙产品组合无缝协作。
itt cannon连接器官网　　移远在模组开发的过程中，一直将安全置于核心位置，从产品架构到固件/软件开发，均遵循领先的行业实践和标准，通过第三方独立测试机构减少潜在漏洞，并将生成SBOMs和VEX文件等安全实践以及执行固件二进制分析纳入整个软件开发生命周期中。
　　MicroSpace高压连接器包含端子锁止片（TPA）和连接器二次锁止（CPA）机构。TPA负责确保端子插接和固定无误，而CPA负责确保连接器配接正确，且整体牢固地锁定在一起，不易脱落。这些卓越设计使得该连接器系统在完整性和性能方面备受用户信赖。
同时，CVM012x系列车规MCU集成了高性能电容检测IP，采用曦华独创的电容检测技术，具备极高的电容检测精度，自互一体电容检测技术，支持4nF负载电容、30ch自容通道以及15 x 15ch互容通道，支持Active Shielding技术以更好的支持触摸防水性能。CVM012x系列支持多封装和多Flash配置，具有丰富的产品矩阵以满足客户的产品实际需求。产品满足可靠性AEC-Q100 Grade 2，可支持ISO 26262 ASIL-B功能安全标准的车规应用。

通过结合DDR5 的速度与效率，以及先进的Conformal Coating表面涂层技术，这款产品能协助客户突破算力的界限，确保在严峻的沉浸式液冷环境中维持长期耐用度，不仅体现了SMART对创新的承诺，也展现出我们积极努力满足高性能运算不断变化的需求。」
itt cannon连接器官网此外，TOLT 器件还与英飞凌采用Q-DPAK封装的 CoolSiC? 750 V这一顶部散热CoolSiC? 工业产品组合形成了互补。当器件所需的电源不需要Q-DPAK封装时，开发者可使用TOLT器件减少SiC MOSFET占用的 PCB 面积。
　　CEC1736 TrustFLEX器件专为满足NIST 800-193平台弹性准则和OCP要求而设计，可支持必要的安全功能，从而在各类市场实现硬件信任根。可信平台设计套件允许客户个性化平台特定的配置设置，包括独特的凭证，以支持从外部SPI闪存器件启动的任何应用、主处理器或SoC，从而扩展系统中的信任根。
　　与上一代OptiMOS 3相比，OptiMOS6 200 V产品组合具有更加强大的技术特性，其RDS(on)降低了42%，有助于减少传导损耗和提高输出功率。在二极管性能方面，OptiMOS6 200 V的软度大幅提升至OptiMOS 3的三倍多，且 Qrr(typ)降低了 89%，使开关和 EMI 性能均得到明显改善。该技术还提升了寄生电容线性度（Coss 和 Crss），减少了开关期间的振荡并降低了电压过冲。更紧密的 VGS(th) 分布和低跨导特性有助于MOSFET并联和电流共享，使温度变得更加均匀且减少了并联MOSFET的数量。